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Influence of silicon cluster on epitaxial growth of silicon carbide

生长率，做的集中和表面形态学的先锋集中依赖在 4H-SiC (0001 ) 的取向附生的生长被调查了有用在经常的 C/Si 下面的各种各样的先锋......

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外延生长碳化硅集群浓度依赖性掺杂浓度表面形貌数据发现 SIC 4H-SiC horizontal hot-wall CVD C/Si ratio

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